IPS13N03LA G

Tillverkare Produktnummer:

IPS13N03LA G

Product Overview

Tillverkare:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Delenummer:

IPS13N03LA G-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 25V 30A TO251-3

Detaljerad beskrivning:

N-Channel 25 V 30A (Tc) 46W (Tc) Through Hole PG-TO251-3-11

Inventarier:

Förfrågan Online

12806142

Begära offert

Antal
Minst 1

(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar

SKICKA

IPS13N03LA G Tekniska specifikationer

Kategori

FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er

Tillverkare

Infineon Technologies

Förpackning

-

Serie

OptiMOS™

Produktens status

Obsolete

FET-typ

N-Channel

Teknik

MOSFET (Metal Oxide)

Tömning till källspänning (Vdss)

25 V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

30A (Tc)

Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)

4.5V, 10V

rds på (max) @ id, vgs

12.8mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 20µA

Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs

8.3 nC @ 5 V

Vgs (max)

±20V

Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

1043 pF @ 15 V

FET-funktion

-

Effektförlust (max)

46W (Tc)

Drifttemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Typ av montering

Through Hole

Paket för leverantörsenhet

PG-TO251-3-11

Paket / Fodral

TO-251-3 Stub Leads, IPak

Grundläggande produktnummer

IPS13N

Datablad och dokument

Datasheets

HTML-Datasheet

IPS13N03LA G-DG

Ytterligare information

Standard-paket

1,500

Andra namn

IPS13N03LA G-DG

SP000015133

IPS13N03LAG

IPS13N03LAGX

Miljö- och exportklassificering

Känslighetsnivå för fukt (MSL)

3 (168 Hours)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN (ECCN)

EAR99

HTSUS (HTSUS)

8541.29.0095

DIGI Certifiering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterade produkter

infineon-technologies

IRFR18N15DTR

MOSFET N-CH 150V 18A DPAK

infineon-technologies

IRFH7934TR2PBF

MOSFET N-CH 30V 24A 5X6 PQFN

infineon-technologies

IRLR8726PBF

MOSFET N-CH 30V 86A DPAK

IRF7204PBF

MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SO